- 深圳市华美欧电子科技有限公司
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
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- 产品信息
- 1401
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- 市场价：
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- 说明：制造商:Texas Instruments产品种类:ARM微控制器 - MCURoHS: 详细信息系列:TMS570LS0714安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:LQFP-100核心:ARM Cortex R4F程序存储器大小:768 kB数据总线宽度:32 bit/16 bitADC分辨率:12 bit最大时钟频率:160 MHz输入/输出端数量:64 I/O数据 RAM 大小:
- 更新：2023-04-10 10:24:47
- 1402
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- 名称：UCC27211AQDDARQ1 电源管理 IC 门驱动器
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Texas Instruments产品种类:门驱动器RoHS: 详细信息产品:MOSFET Gate Drivers类型:High-Side, Low-Side安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SO-PowerPad-8激励器数量:2 Driver输出端数量:2 Output输出电流:4 A电源电压-最小:8 V电源电压-最大:17 V上升时间:7.2 ns下降时间:5.5
- 更新：2023-04-10 10:12:57
- 1403
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- 名称：24LC04BT-I/OT存储器 IC 电可擦除可编程只读存储器
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Microchip产品种类:电可擦除可编程只读存储器RoHS: 详细信息安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-5接口类型:2-Wire, I2C存储容量:4 kbit组织:512 x 8电源电压-最小:2.5 V电源电压-最大:5.5 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C最大时钟频率:400 kHz访问时间:900 ns数据保留:200 Year
- 更新：2023-04-07 09:52:18
- 1404
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- 名称：ADR5040BRTZ-REEL7电源管理 IC 参考电压
- 类别：eof
- 市场价：
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- 说明：制造商:Analog Devices Inc.产品种类:参考电压RoHS: 详细信息安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3参考类型:Shunt Precision References输出电压:2.048 V初始准确度:0.1 %温度系数:75 PPM / C串联VREF—输入电压—最大值:-分流电流—最大值:15 mA最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125
- 更新：2023-04-07 09:43:37
- 1405
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- 名称：AD8542ARZ-REEL7 放大器 IC 运算放大器 - 运放
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Analog Devices Inc.产品种类:运算放大器 - 运放RoHS: 详细信息安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8通道数量:2 Channel电源电压-最大:5.5 VGBP-增益带宽产品:1 MHz每个通道的输出电流:30 mASR - 转换速率 :920 mV/usVos - 输入偏置电压 :1 mV电源电压-最小:2.7 V最小工作温度:- 40
- 更新：2023-04-07 09:24:08
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- 名称：AD8418WBRMZ-RL 电流灵敏放大器
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Analog Devices Inc.产品种类:电流灵敏放大器RoHS: 详细信息系列:AD8418通道数量:1 ChannelGBP-增益带宽产品:250 kHzVcm - 共模电压:- 2 V to + 70 VCMRR - 共模抑制比:90 dBIb - 输入偏流:130 uAVos - 输入偏置电压 :200 uV电源电压-最大:5.5 V电源电压-最小:2.7 V工作电
- 更新：2023-04-07 09:17:14
- 1407
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- 名称：IPD70R360P7S 晶体管 MOSFET
- 类别：eof
- 市场价：
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- 说明：制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:700 VId-连续漏极电流:12.5 ARds On-漏源导通电阻:300 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 16 V, + 16 VVgs th-栅源极阈值电压:2
- 更新：2023-04-06 15:12:12
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- 名称：IKW40N120T2 IGBT 晶体管
- 类别：eof
- 市场价：
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- 说明：制造商:Infineon产品种类:IGBT 晶体管RoHS: 详细信息技术:Si封装 / 箱体:TO-247-3安装风格:Through Hole配置:Single集电极—发射极最大电压 VCEO:1.2 kV集电极—射极饱和电压:1.75 V栅极/发射极最大电压:- 20 V, + 20 V在25 C的连续集电极电流:75 APd-功率耗散:480 W最小工作温度:- 40 C最大工作
- 更新：2023-04-06 10:44:08
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- 名称：IKQ75N120CH3 IGBT 晶体管
- 类别：eof
- 市场价：
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- 说明：制造商:Infineon产品种类:IGBT 晶体管RoHS: 详细信息技术:Si封装 / 箱体:TO247-3-46安装风格:Through Hole配置:Single集电极—发射极最大电压 VCEO:1.2 kV集电极—射极饱和电压:2 V栅极/发射极最大电压:- 20 V, + 20 V在25 C的连续集电极电流:150 APd-功率耗散:938 W最小工作温度:- 40 C最大工作
- 更新：2023-04-06 10:11:24
- 1410
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- 名称：IKW50N65ES5 IGBT 晶体管
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商:Infineon产品种类:IGBT 晶体管RoHS: 详细信息技术:Si封装 / 箱体:TO-247-3安装风格:Through Hole配置:Single集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V集电极—射极饱和电压:1.35 V栅极/发射极最大电压:- 20 V, + 20 V在25 C的连续集电极电流:80 APd-功率耗散:274 W最小工作温度:- 40 C最大工作温
- 更新：2023-04-06 09:56:51
